齐纳击穿：一种发生在半导体 PN 结强反向偏置下的击穿机制。当反向电场非常强时，电子可通过量子隧穿从价带跃迁到导带，使反向电流在较低击穿电压下突然增大（常见于低击穿电压的二极管）。
（注：另一种常见击穿机制是 雪崩击穿 avalanche breakdown，通常出现在较高击穿电压范围。）
/ˈziːnər ˈbreɪkdaʊn/
Zener breakdown occurs when the reverse electric field is strong enough to cause tunneling.
齐纳击穿发生在反向电场强到足以引发隧穿效应时。
In a voltage regulator, a Zener diode is operated in Zener breakdown to maintain a nearly constant output voltage despite changes in load.
在稳压电路中，齐纳二极管通常工作在齐纳击穿区，以便在负载变化时仍保持输出电压近似恒定。
“Zener”来自美国物理学家 Clarence Zener（克拉伦斯·齐纳） 的姓氏，他对固体中电学与击穿相关现象的研究推动了这一概念的命名；“breakdown”意为“击穿/崩溃”，在电子学中指材料或结在强电场下失去正常阻断能力、导通电流急剧增加的现象。
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